MMUN2133LT1G 是一款 PNP 型预偏置晶体管。该设计使得其在开关和放大电路中具有优良的控制特性，尤其适合应用于需要快速开关和高信号增益的场合。
基本特性：
晶体管类型： MMUN2133LT1G 是一款 PNP 型预偏置晶体管。该设计使得其在开关和放大电路中具有优良的控制特性，尤其适合应用于需要快速开关和高信号增益的场合。
电流与电压规格：
最大集电极电流（Ic）：100mA，适合处理中等负载的应用，能够稳定驱动各种负载。
最大集射极击穿电压（Vce）：50V，该特性保证了其在高电压环境下的安全性，适合多种电源电压的应用需求。
电流增益（hFE）： 在5mA 的集电极电流和10V 的电压下，MMUN2133LT1G 的直流电流增益（hFE）最小值可达80。该特性使得晶体管有效增强输入信号的幅度，无论是在低功耗放大器还是在开关电路中，都能够提供良好的增益性能。
饱和压降和截止电流： 晶体管在工作时，Vce 的饱和压降最大为250mV（在300µA的基极电流和10mA的集电极电流条件下）。此外，其集电极截止电流最大不超过500nA，显示出其良好的关断特性，确保无信号时的低功耗表现。
功率处理能力： 该器件的最大功耗为246mW，充分满足了多样化的功率需求，适合于便携设备、消费电子及车载设备等应用。
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规格参数：
产品种类:数字晶体管
RoHS:
配置: Single
晶体管极性: PNP
典型输入电阻器: 4.7 kOhms
典型电阻器比率: 0.1
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
集电极连续电流: 100 mA
峰值直流集电极电流: 100 mA
Pd-功率耗散: 246 mW
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: MMUN2133L
直流电流增益 hFE 最大值: 80
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: Digital Transistors
工厂包装数量：3000
子类别: Transistors
宽度: 1.3 mm
单位重量:8 mg
引脚图：
